semiconductor – полупроводник.
doped semiconductor – полупроводник с примесью (примесь добавляется для получения определенных свойств – p-проводимость или n-проводимость).
N-doped – с примесью, обеспечивающей электронную проводимость.
P-doped – с примесью, обеспечивающей дырочную проводимость.
electron conduction – электронная проводимость, проводимость типа n.
hole conduction – дырочная проводимость, проводимость типа p.
transistor – транзистор.
bipolar transistor – биполярный транзистор.
bipolar junction transistor (BJT) – биполярный транзистор (слово junction указывает на наличие p-n переходов).
PNP, p-n-p – транзистор p-n-p.
NPN, n-p-n – транзистор n-p-n.
emitter – эмиттер.
collector – коллектор.
base – база.
field-effect transistor (FET) – полевой транзистор.
junction field-effect transistor (JFET) – полевой транзистор с неизолированным затвором (в районе контакта затвора с каналом образуется область обратной проводимости и p-n-переход между ней и остальным каналом).
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) – полевой транзистор с изолированным затвором).
P-channel – p-канальный, полевой транзистор с p-каналом.
N-channel – n-канальный, полевой транзистор с n-каналом.
source – исток.
drain – сток.
gate – затвор.
amplifier – усилитель (транзистор в режиме усиления сигнала).
switch – ключ (транзистор в ключевом режиме).
common-emitter amplifier – усилительный каскад с общим эмиттером.
common-source amplifier – усилительный каскад с общим истоком.
